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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Medury, Aditya Sankar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability ; page 1-1 ; ISSN 1530-4388 1558-2574, 2024
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 68, issue 2, page 497-502 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2021
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    Impact of Temperature on the Reliability of UTB-DG-FE-TFETs and Their RF/Analog and Linearity Parameter Dependence
    Gopal, Girdhar ; Varma, Tarun
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 52, issue 9, page 6293-6307 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2023
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Alam, Md. Nur Kutubul ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 5, issue 5, page 335-339 ; ISSN 2168-6734, 2017
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 69, issue 9, page 4828-4834 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2022
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; volume 28, issue 3, page 653-658 ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 65, issue 3, page 895-900 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2018
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 11, page 4615-4621 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 10, page 3986-3990 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 59, issue 4, page 941-948 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2012
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 58, issue 3, page 600-608 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2011
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 143-148 ; ISSN 0038-1101, 2010
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 137-142 ; ISSN 0038-1101, 2010
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 5, page 545-551 ; ISSN 0038-1101, 2010
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, V. ; Hellstrom, P. E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters ; volume 30, issue 5, page 541-543 ; ISSN 0741-3106 1558-0563, 2009
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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 53, issue 4, page 433-437 ; ISSN 0038-1101, 2009
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