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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Karner, Markus ; Kosina, Hans ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), S. 143-148
    Online unknown
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    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Yu, Zhiping ; Guan, Ximeng
    In: IEEE Transactions On Nanotechnology, Jg. 6 (2007), S. 101-105
    Online unknown
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    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Klimeck, Gerhard ; Tan, Yaohua ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01
    Online unknown
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    Low-Field Mobility in Strained Silicon Inversion Layers and UTB MOSFETs for Different Substrate Orientations
    Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 2007
    Online unknown
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    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Yuan Ping Feng ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005
    Online unknown
    Zugriff:
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