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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Chelly, Avraham ; Karsenty, Avi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), S. 1867-1871
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
    Online unknown
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Baumgartner, Oskar ; Selberherr, Siegfried ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2010
    Online unknown
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