Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
7 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Inhaltsanbieter

7 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009-05-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Mehrotra, Saumitra R ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -