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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, N.V. ; Medury, A.S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232
    academicJournal
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    The Modulation Effect of LPCVD-SixNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, L. ; Zhou, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs
    Kilchytska, V. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, 2011-03-01, S. 1-4
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, 2011-02-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design of sub-50 nm ultrathin-body (UTB) SOI MOSFETs with raised S/D
    Xusheng, Wu ; Shengdong, Zhang ; et al.
    In: 2003 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (IEEE Cat. No.03TH8668), 2003, S. 251-254
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Dual-material gate schottky barrier UTB DG MOSFETs with Ge and III-V channel
    Choi, W. ; Lee, J. ; et al.
    In: 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2014-06-01, S. 1-2
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009-05-01, S. 1
    Konferenz
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