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    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    HU, Vita Pi-Ho ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k - p schrödinger equation
    BAUMGARTNER, Oskar ; KARNER, Markus ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    TAO CHUAN, LIM ; ROZEAU, Olivier ; et al.
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    YUNPENG, PEI ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    MUKHOPADHYAY, Saibal ; KIM, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    YU, TIAN ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    ZHEN, ZHANG ; ZHIJUN, QIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    JING, ZHUGE ; XIA, AN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 7
    academicJournal
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