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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
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    Carrier mobility/transport in undoped-UTB DG FinFETs
    CHOWDHURY, Murshed M ; TRIVEDI, Vishal P ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    XIA, AN ; RU, HUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    YU, TIAN ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of technology parameters on inverter delay of UTB-SOI CMOS
    SCHULZ, Thomas ; PACHA, Christian ; et al.
    In: 2002 IEEE international SOI conference (Williamsburg VA, 7-10 October 2002), 2002, S. 176-178
    Konferenz
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    GUDMUNDSSON, Valur ; HELLSTRÖM, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
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