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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET.
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs.
    He, J. ; Bian, W. ; et al.
    In: Molecular Simulation, Jg. 34 (2008), Heft 1, S. 63-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-04-01), Heft 4, S. 611-616
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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