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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
    Online unknown
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Muhammad Mainul Islam ; Md. Shamim Sarker ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), S. 335-339
    Online unknown
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    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Wang, Xinlin ; Oldiges, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), S. 284-287
    Online unknown
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
    Online unknown
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
    Online unknown
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
    Online unknown
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