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    Carrier mobility/transport in undoped-UTB DG FinFETs
    CHOWDHURY, Murshed M ; TRIVEDI, Vishal P ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    ABERG, Ingvar ; HOYT, Judy L
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; SAITOH, Masumi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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