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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?

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