Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
30 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Inhaltsanbieter

30 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Quantitative identification of significant k-points enabling accurate & computationally efficient UTB MOS device simulation
    Vilochan Mishra, Nalin ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2022 International Semiconductor Conference (CAS), 2022-10-12, S. 247-250
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Comparison of Different Approaches used for Estimation of Electrostatics in UTB devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Kansal, Harshit ; et al.
    In: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2022-07-04, S. 347-350
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of Negative Capacitance UTB SOI MOSFETs considering Line-Edge Roughness and Work Function Variation
    Chiu, Pin-Chieh ; Hu, Vita Pi-Ho
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 13-15
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2017-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, 2011-02-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, S. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
    Paydavosi, N. ; Venugopalan, S. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 1 (2013), S. 201-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, M.M. ; Alam, M.N.K. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), Heft 5, S. 335-335
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -