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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
    Online unknown
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
    Online unknown
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Kilchytska, Valeriya ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 247-251
    Online unknown
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Xiao, Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1203-1210
    Online unknown
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    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Fossum, Jerry G. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), S. 1125-1131
    Online unknown
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Kwong, Dim-Lee ; Zhu, Chunxiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), S. 2430-2439
    Online unknown
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), S. 561-568
    Online unknown
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