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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs.
    Chowdhury, Murshed M. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation.
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
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    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm.
    Aberg, Ingvar ; Hoyt, Judy L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
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