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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 57 (2011-03-01), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
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