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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Theoretical effects of UTB urea transporters in the renal medullary microcirculation
    WENSHENG, ZHANG ; EDWARDS, Aurélie
    In: American journal of physiology. Renal physiology, Jg. 54 (2003), Heft 4, S. F731- (17S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    DARBANDY, Ghader ; LIME, François ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 11
    academicJournal
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