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    Formation of photoluminescent properties inherent to silicon quantum dots
    KAGANOVICH, E. B ; SVECHNIKOV, S. V ; et al.
    In: International journal of nanotechnology, Jg. 3 (2006), Heft 1, S. 106-119
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electron field emission from porous silicon prepared at low anodisation currents
    EVTUKH, A. A ; LITOVCHENKO, V. G ; et al.
    In: International journal of nanotechnology, Jg. 3 (2006), Heft 1, S. 89-105
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    'Charge pump' effect and mechanisms of charge carriers localisation in oxidised nano-Si
    BLONSKYY, V ; KADAN, V. M ; et al.
    In: International journal of nanotechnology, Jg. 3 (2006), Heft 1, S. 65-75
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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