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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-Field Mobility in Strained Silicon Inversion Layers and UTB MOSFETs for Different Substrate Orientations.
    Ungersboeck, E. ; Sverdlov, V. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 893 (2007-04-10), Heft 1, S. 1389-1390
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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