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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2017-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Source/Drain Resistance of UTB SOI MOSFET
    Ke, Wei ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2005, S. 405-408
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI pMOSFET
    Du, Gang ; liu, Xiaoyan ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 995-998
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Schmidt, M. ; Lemme, M.C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009-03-01, S. 27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S. K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Z. ; Qiu, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of the scalability of ultra thin body (UTB) double gate tunnel FET using physics based 2D analytical model
    Liu, Lu ; Datta, Suman
    In: 68th Device Research Conference, 2010-06-01, S. 15-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Comprehensive analysis of UTB GeOI logic circuits and 6T SRAM cells considering variability and temperature sensitivity
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 International Electron Devices Meeting, 2011-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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