Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
6 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Inhaltsanbieter

6 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, N.V. ; Medury, A.S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 358-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 384-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -