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    UTB SOI SRAM cell stability under the influence of intrinsic parameter fluctuation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC, 2005, S. 553-556
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 284-287
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of random dopant induced fluctuations on sub-15nm UTB SOI 6T SRAM cells
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: 2005 IEEE International SOI Conference Proceedings, 2005, S. 61-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comprehensive analysis of UTB GeOI logic circuits and 6T SRAM cells considering variability and temperature sensitivity
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 International Electron Devices Meeting, 2011-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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