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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
    Online unknown
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), S. 561-568
    Online unknown
    Zugriff:
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