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    Source/Drain Resistance of UTB SOI MOSFET
    Ke, Wei ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2005, S. 405-408
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Schmidt, M. ; Lemme, M.C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009-03-01, S. 27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    Aberg, I. ; Hoyt, J.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 358-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 384-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    NiSi MOCVD for fabricating FinFETs and UTB-SOI devices
    Ogura, A. ; Wakabayashi, H. ; et al.
    In: 2003 IEEE International Conference on SOI, 2003, S. 70-71
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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