Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
8 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

8 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k - p schrödinger equation
    BAUMGARTNER, Oskar ; KARNER, Markus ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -