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    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of analog and RF performance of UTB-OI-Si substrate MOS transistor using buffered InGaAs and Silicon channel
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: 2015 6th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2015, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Static performance analysis on UTB-SG and DG MOSFETs with Si and III–V channel materials
    Singh, D. ; Panda, S. ; et al.
    In: 2014 International Conference on High Performance Computing and Applications (ICHPCA), 2014-12-01, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012-03-01, S. 45-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, 2011-02-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Dual-material gate schottky barrier UTB DG MOSFETs with Ge and III-V channel
    Choi, W. ; Lee, J. ; et al.
    In: 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2014-06-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An integration path for gate-first UTB III-V-on-insulator MOSFETs with silicon, using direct wafer bonding and donor wafer recycling
    Czornomaz, L. ; Daix, N. ; et al.
    In: 2012 International Electron Devices Meeting, 2012-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hoentschel, Jan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?

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