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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hoentschel, Jan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online unknown
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    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Md. Rafiqul Islam ; Md. Nur Kutubul Alam ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01
    Online unknown
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online unknown
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Kilchytska, Valeriya ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 247-251
    Online unknown
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), S. 1867-1871
    Online unknown
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    Hole Mobility Enhancement in (100)- and (110)-surface of Ultrathin-body(UTB) Silicon-on-insulator(SOI) Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistor
    Cho, Won-Ju ; Kim, Kwan-Su
    In: Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, Jg. 20 (2007-11-01), S. 939-942
    Online unknown
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
    Online unknown
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    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs
    Andrieu, Francois ; Faynot, O. ; et al.
    In: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, 2011-03-01
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Baumgartner, Oskar ; Selberherr, Siegfried ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2010
    Online unknown
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    HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack
    Paccaud, M. ; Buj, C. ; et al.
    2008
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Quantum corrected Ensemble Monte Carlo simulation of UTB-DGSOI. Contribution of Volume Inversion and Inter-Subband Modulation effects
    Sampedro, Carlos ; Godoy, Andres ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, 2006-10-01
    Online unknown
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    Impact of technology parameters on inverter delay of UTB-SOI CMOS
    Schulz ; Risch ; et al.
    In: IEEE International SOI Conference SOI-02, 2002
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Kurz, Heinrich ; Selmi, Luca ; et al.
    Online unknown
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