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    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling the threshold voltage of ultra-thin-body(UTB) long channel symmetric double-gate (DG) MOSFETs
    Medury, Aditya Sankar ; Majumdar, Kausik ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S. K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Single Metal Gate with Dual Work Functions for FD-SOI and UTB Double Gate Technologies
    Pham, D. ; Luan, H. ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, International SOI Conference, 2006-10-01, S. 25
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Md. Rafiqul Islam ; Md. Nur Kutubul Alam ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
    Jandhyala, Srivatsava ; Yogesh Singh Chauhan ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 1 (2013), S. 201-215
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs
    Andrieu, Francois ; Faynot, O. ; et al.
    In: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, 2011-03-01
    Online unknown
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Kurz, Heinrich ; Selmi, Luca ; et al.
    Online unknown
    Zugriff:
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    Volltext
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