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    Luminescent properties of the structures with embedded silicon nanoclusters: Influence of technology, doping and annealing (Review).
    Melnik, V. P. ; Popov, V. G. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 26 (2023-07-01), Heft 3, S. 278-302
    Online academicJournal
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    Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density.
    Sachenko, A. V. ; Belyaev, A. E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-15), Heft 8, S. 83701-83709
    academicJournal
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    Investigation of aging process of Si–SiO<subscript>x</subscript> structures with silicon quantum dots.
    Baran, M. ; Khomenkova, L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-01), Heft 11, S. 113515-113519
    academicJournal
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    A revised reverse gated-diode technique for determining generation parameters in thin-film silicon-on-insulator devices and its application at high temperatures.
    Rudenko, T. ; Kilchytska, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-05-01), Heft 9, S. 93718-93726
    academicJournal
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    Silicon surface functionalization based on cavitation processing.
    Savkina, R.K. ; Smirnov, A.B. ; et al.
    In: Surface & Coatings Technology, Jg. 343 (2018-06-15), S. 17-23
    Online academicJournal
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    Impact of isovalent doping on the formation of the CiOi(SiI)n defects in silicon.
    Christopoulos, S.-R.G. ; Sgourou, E.N. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 263 (2017-09-01), S. 19-22
    Online academicJournal
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    New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures.
    Borblik, V. L. ; Shwarts, Yu. M. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 20 (2017-06-01), Heft 2, S. 195-198
    Online academicJournal
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    The influence of magnetic processing on properties and phase composition of alloyed semiconductor silicon.
    Kutzova, V. Z. ; Nosko, O. A. ; et al.
    In: Metallurgical & Mining Industry, 2017-04-01, Heft 4, S. 42-46
    academicJournal
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    Complex formation in semiconductor silicon within the framework of the Vlasov model of a solid state.
    Talanin, V. ; Talanin, I.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 58 (2016-10-01), Heft 10, S. 2050-2054
    Online academicJournal
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    Sonosynthesis of microstructures array for semiconductor photovoltaics.
    Savkina, R.K. ; Smirnov, A.B. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 37 (2015-09-01), S. 179-184
    Online academicJournal
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    Long range annealing of defects in germanium by low energy plasma ions.
    Archilla, J.F.R. ; Coelho, S.M.M. ; et al.
    In: Physica D, Jg. 297 (2015-03-15), S. 56-61
    Online academicJournal
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    Photosensitive Structures of Conjugated Polymer - Porous Silicon.
    Monastyrskii, L. S. ; Aksimentyeva, O. I. ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 589 (2014-01-15), Heft 1, S. 124-131
    academicJournal
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    Non-Monotonic \gamma-Ray Influence on Mo/n-Si Schottky Barrier Structure Properties.
    Olikh, Oleg Ya.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-02-15), Heft 1, S. 394-401
    academicJournal
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    Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown.
    Aleinikov, A. B. ; Berezovets, V. A. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 15 (2012-07-01), Heft 3, S. 288-293
    Online academicJournal
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    Current transport mechanisms in metal -- high-κ dielectric -- silicon structures.
    Gomeniuk, Y. V.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 15 (2012-04-01), Heft 2, S. 139-146
    Online academicJournal
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    Influence of γ-irradiation ( <superscript>60</superscript>Co) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type.
    Gaidar, G. P.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 15 (2012), Heft 1, S. 26-31
    Online academicJournal
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    Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si.
    Boiko, I. I.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 14 (2011-04-01), Heft 2, S. 183-187
    Online academicJournal
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    Ultrasonically Recovered Performance of γ-Irradiated Metal-Silicon Structures.
    Gorb, Alla M. ; Korotchenkov, Oleg A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-06-03), Heft 3, S. 1632-1639
    academicJournal
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    Nanocomposite SiO<subscript>2</subscript>(Si) films as a medium for non-volatile memory
    Bratus’, O.L. ; Evtukh, A.A. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, Jg. 354 (2008-10-01), Heft 35-39, S. 4278-4281
    Online academicJournal
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    Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low-temperature region.
    Borblik, V. L. ; Shwarts, Yu. M. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 10 (2007-07-01), Heft 3, S. 44-47
    Online academicJournal
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