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108 Treffer

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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, N.V. ; Medury, A.S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Modulation Effect of LPCVD-SixNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, L. ; Zhou, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Study of analog and RF performance of UTB-OI-Si substrate MOS transistor using buffered InGaAs and Silicon channel
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: 2015 6th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2015, S. 1-4
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Static performance analysis on UTB-SG and DG MOSFETs with Si and III–V channel materials
    Singh, D. ; Panda, S. ; et al.
    In: 2014 International Conference on High Performance Computing and Applications (ICHPCA), 2014-12-01, S. 1-6
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An adaptive grid algorithm for self-consistent k·p Schrodinger and Poisson equations in UTB InSb-based pMOSFETs
    Chang, Pengying ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE), 2014-06-01, S. 1-4
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Significant Performance Enhancement of UTB GeOI pMOSFETs by Advanced Channel Formation Technologies
    Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2018-06-01, S. 191-192
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012-03-01, S. 45-48
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs
    Kilchytska, V. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, 2011-03-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, 2011-02-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design of sub-50 nm ultrathin-body (UTB) SOI MOSFETs with raised S/D
    Xusheng, Wu ; Shengdong, Zhang ; et al.
    In: 2003 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (IEEE Cat. No.03TH8668), 2003, S. 251-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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