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    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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