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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2018-09-22), S. 653-658
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Prasanna Kumar Sahu ; Sushanta Kumar Mohapatra ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Chelly, Avraham ; Karsenty, Avi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
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    Electron Mobility Behavior of Ge-Free Ultrathin-Body (UTB) Strained-SOI (sSOI) MOSFETs
    Kwan Su Kim ; Cho, Won-Ju
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 54 (2009-05-15), S. 1840-1843
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), S. 1867-1871
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    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs
    Chan, Mansun ; Chen, Yu-Hong ; et al.
    In: Molecular Simulation, Jg. 34 (2008), S. 63-72
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Li, Dingyu ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-04-23), S. 577-583
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
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    A continuous analyticI–Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    Chan, Mansun ; Zhang, Ganggang ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-01-20), S. 261-266
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), S. 836-838
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Martinez, Frédéric ; Ricoma, M. ; et al.
    2011
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Baumgartner, Oskar ; Selberherr, Siegfried ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2010
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    Quantum corrected Ensemble Monte Carlo simulation of UTB-DGSOI. Contribution of Volume Inversion and Inter-Subband Modulation effects
    Sampedro, Carlos ; Godoy, Andres ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, 2006-10-01
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Wang, Runsheng ; Huang, Ru ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-05-08), S. 075009-75009
    Online unknown
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