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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?

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