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    Optical properties of InN thin films
    MALAKHOV, V. Ya
    In: Light-emitting diodes : research, manufacturing, and applications IV (San Jose CA, 26-27 January 2000), 2000, S. 131-136
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The peculiarity of optical and electrical properties of ferromagnetic semiconductor with dynamical superlattice on hot electrons
    SEMCHUK, O. Yu ; GRECHKO, L. G ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 414-420
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Superluminal transfer of information in electrodynamics
    OLEINIK, V. P
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 321-326
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Stimulated emission of far infra-red radiation from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe
    GASAN-ZADE, S. G ; SHEPELSKII, G. A ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 35-39
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Spontaneous IR intersublevel emission from quantum dots conditioned by main interband lasing
    VOROBJEV, L. E ; FIRSOV, D. A ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 27-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Resonant generation of difference harmonic in heterostructures with closely spaced levels
    KOROVIN, A. V ; VASKO, F. T
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 408-413
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Physical effects caused by superluminal transfer of information
    OLEINIK, V. P
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 329-336
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multilayer structures based on variable-gap semiconductors : carrier redistribution phenomena during current transfer
    SAVITSKY, V. G ; SOKOLOVSKY, B. S ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 337-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Light scattering in a filled nematic cell
    LEDNEI, M ; PINKEVICH, I ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 275-279
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of uniaxial pressure on the photoionization of h-centers in semiconductors
    ABRAMOV, A. A ; AKIMOV, V. I ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 201-207
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of semiconductor structure inhomogenuity on electrophysical measurements results
    SAVITSKY, V ; VLASOV, A ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 343-347
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of particle multipole interaction on the absorption spectra of radiation in the metallic composites
    GRECHKO, L. G ; PUSTOVIT, V. N ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 391-399
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impurity profile determination by the optimal parameter choice method
    KARACHEVTSEVA, L. A ; SOBOLEV, V. D ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 270-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Exchange effects in electron-hole plasma in quantum-well heterostructures under an electric field
    FYODOROV, I. A ; SOKOLOV, V. N
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 421-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electronic properties and energy spectrum of SnTe doped with In
    ROGACHEVA, E. I ; LAPTEV, S. A
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 370-377
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dielectric function of nonlinear metal composite with double layer ellipsoidal inclusions
    GRECHKO, L. G ; DAVYDOVA, O. A ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 400-407
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Changes of defect structure of ZnSe crystals under passing of laser induced shock wave
    BAIDULLAEVA, A ; VLASENKO, A. I ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 444-447
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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