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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    HU, Vita Pi-Ho ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    GNANI, Elena ; GNUDI, Antonio ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    MUKHOPADHYAY, Saibal ; KIM, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
    academicJournal
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    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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