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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Nalin Vilochan Mishra ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online unknown
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), S. 4828-4834
    Online unknown
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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Medury, Aditya Sankar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability ; page 1-1 ; ISSN 1530-4388 1558-2574, 2024
    Online academicJournal
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    Analysis of Conduction Band Offset Variation on the Electrostatics of UTB Devices through the Modified Effective Mass Approximation (mEMA)
    Aditya S Medury ; Solanki, Ravi ; et al.
    2022
    Online unknown
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    Reduced k-points based computationally efficient band structure approach for UTB device simulation
    Aditya S Medury ; Nalin Vilochan Mishra ; et al.
    2021
    Online unknown
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 68, issue 2, page 497-502 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2021
    Online academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Xie, Min ; Zhao, Yi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), S. 895-900
    Online unknown
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
    Online unknown
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Muhammad Mainul Islam ; Md. Shamim Sarker ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), S. 335-339
    Online unknown
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology ; volume 22, page 8-13 ; ISSN 1536-125X 1941-0085, 2023
    Online academicJournal
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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps with Band Edge EnergyThrough Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Vilochan Mishra, Nalin
    2023
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Band structure-based simulation and analysis of 2D electrostatics in UTB DG MOSFETs from low to room temperature
    Vilochan Mishra, Nalin
    2023
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Alam, Md. Nur Kutubul ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 5, issue 5, page 335-339 ; ISSN 2168-6734, 2017
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 69, issue 9, page 4828-4834 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2022
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices_supp1-3366592.pdf
    Mishra, Nalin Vilochan
    2024
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of Conduction Band Offset Variation on the Electrostatics of UTB Devices through the Modified Effective Mass Approximation (mEMA)
    Kansal, Harshit ; Vilochan Mishra, Nalin ; et al.
    2022
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Temperature dependent Band gap Correction model using tight-binding approach for UTB device simulations
    Vilochan Mishra, Nalin ; Solanki, Ravi ; et al.
    2022
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Chuang, Ching-Te ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), S. 524-531
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
    Online unknown
    Zugriff:
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