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184 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Tractorul-UTB SA - in bankruptcy proceedings.
    In: SeeNews Research & Profiles (Company Profiles), 2012-11-01, S. 7490-7494
    unknown
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Tractorul-UTB SA in bankruptcy proceedings.
    In: SeeNews Research & Profiles (Company Profiles), 2012-08-01, S. 2542-2545
    unknown
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation.
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 45-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Two-dimensional physics-based modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Holtij, Thomas ; et al.
    In: Proceedings of the 19th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits & Systems - MIXDES 2012, 2012, S. 88-93
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Supplier selection service-case study UTB.
    Mendoza, Giovanny Vasques ; Cruz, Yuliana Puerta
    In: 2012 7th Colombian Computing Congress (CCC), 2012, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs.
    Kilchytska, V. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: 2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2011, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs.
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), 2011, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Variability analysis of UTB SOI subthreshold SRAM considering Line-Edge Roughness, Work Function Variation and temperature sensitivity.
    Hu, V.P. H. ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), 2011, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    RDF effect induced by source/drain doping in nano-scale UTB SOI MOSFET with nominally un-doped channel.
    Du, Linfeng ; Zhang, Shengdong
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices & Solid-State Circuits (EDSSC), 2010, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices.
    Baumgartner, O. ; Karner, M. ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    High performance Schottky barrier MOSFETs on UTB SOI.
    Urban, C. ; Sandow, C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, S. 65-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness.
    Schmidt, M. ; Lemme, M.C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, S. 27-30
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack.
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, S. 145-148
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Effects of Channel Orientations, High-? Gate Stacks and Stress on UTB-FETs: A QDD Simulation Study.
    Silvestri, L. ; Reggiani, S. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Workshop on Design & Test of Nano Devices, Circuits & Systems, 2008, S. 7-10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    A comparative study on analog/RF performance of ultra-thin body (UTB) SOI and double gate MOSFETs.
    Soin, N. ; Yan Ching Lun
    In: 2008 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, 2008, S. 76-81
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Evaluation of Ultra Thin Body Si-On-ONO (UTB SOONO) transistors using ultra thin spacer technology.
    Hyun Jun Bae ; Sung Hwan Kim ; et al.
    In: 2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design & Technology & Tutorial, 2008, S. 5-8
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB).
    Vishvakarma, S.K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007, S. 277-280
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    A Carrier-Based Analytic Model for Undoped (Lightly Doped) Ultra-Thin-Body Silicon-on-Insulator (UTB-SOI) MOSFETs.
    He, Jin ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Proceedings of the 7th International Symposium Quality Electronic Design, 2006-03-27, S. 127-132
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    A Carrier-Based Analytic Model for Undoped (Lightly Doped) Ultra-Thin-Body Silicon-on-Insulator (UTB-SOI) MOSFETs.
    He, Jin ; Zhang, Xing ; et al.
    In: 7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06), 2006-03-27, S. 127-132
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Source/Drain Resistance of UTB SOI MOSFET.
    Ke, Wei ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices & Solid-State Circuits, 2005, S. 405-408
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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