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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Neuerscheinungen zu Nietzsches Moralkritik und Ethik 1. Gudrun von Tevenar (Hg.), Nietzsche and Ethics, Bern
    New York (Peter Lang) 2007, 318 Seiten, ISBN 978-3-03-911045-2. 2. Brian Leiter / Neil Sinhababu (Hg.), Nietzsche and Morality, Oxford / New York (Oxford University Press) 2007, 308 Seiten, ISBN 978-0-19-928593-8. 3. Sverre Raffnsoe, Nietzsches „Genealogie der Moral„ (UTB 2936), Paderborn (Wilhelm Fink Verlag) 2007, 160 Seiten, ISBN 978-3-8252-2936-8. (Original: Moralens evindelige genkomst: introduktion til Friedrich Nietzsches Moralens oprindelse, Kopenhagen [Gyldendal] 2001). 4. Christopher Janaway, Beyond Selflessness. Reading Nietzsche's Genealogy, Oxford / New York (Oxford University Press) 2007, 284 Seiten, ISBN 978-0-19-927969-2. 5. David Owen, Nietzsche's Genealogy of Morality, Stocksfield (Acumen Publishing Limited) 2007, 179 Seiten, ISBN 978-1-84465-104-7. 6. Robert Pippin, Nietzsche moraliste francais. La conception nietzscheenne d'une psychologie philosophique. Aus dem Amerikanischen ubersetzt von Isabelle Wienand, Paris (College de France, Odile Jacob) 2006, 183 Seiten, ISBN 2-7381-1661-2. 7. Yannick Souladie (Hg.), Nietzsche - L'inversion des valeurs (Schriftenreihe Europaea memoria, Reihe I, Studien, Bd. 53), Hildesheim / Zurich / New York (Georg Olms Verlag) 2007, 177 Seiten, ISBN 978-3-487-13402-4
    In: NIETZSCHE STUDIEN, Jg. 37 (2008), S. 384-412
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    7330 The impact of high-k dielectrics on the performance of Schottky barrier source/drain (SBSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET
    Su-Zhen, L. ; Hong-Xia, L. ; et al.
    In: ACTA PHYSICA SINICA -CHINESE EDITION-, Jg. 57 (2008), Heft 7, S. 4481-4485
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Parameter modeling for higher-order transport models in UTB SOI MOSFETs
    Vasicek, M. ; Cervenka, J. ; et al.
    In: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, Jg. 7 (2008), Heft 3, S. 168-171
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs
    He, J. ; Bian, W. ; et al.
    In: MOLECULAR SIMULATION, Jg. 34 (2008), Heft 1, S. 63-72
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Two Dimensional Analytical Potential Modeling of Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S.K. ; Agrawal, V. ; et al.
    In: JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, Jg. 4 (2007), Heft 6, S. 1144-1148
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Asymmetric gate bias in UTB DG-MOSFET with negative gate-overlap
    Shao, X. ; Yu, Z.
    In: JOURNAL- TSINGHUA UNIVERSITY, Jg. 47 (2007), Heft 4, S. 584-587
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Ke, W. ; Han, X. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Role of UTB Urea Transporters in the Urine Concentrating Mechanism of the Rat Kidney
    Layton, A. T.
    In: BULLETIN OF MATHEMATICAL BIOLOGY, Jg. 69 (2007), Heft 3, S. 887-929
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Segert, Dieter. 2013. Transformation in Osteuropa im 20. Jahrhundert. Stuttgart: UTB. 272 S., € 18,99
    Grotz, F.
    In: ZEITSCHRIFT FUR VERGLEICHENDE POLITIKWISSENSCHAFT, Jg. 9 (2015), Heft 1-2, S. 119-121
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI Device Structure Using Thin BOX for Sub-50-nm SRAM Design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, K. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
    serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    He, J. ; Chan, M. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, M. F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    serialPeriodical
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