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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), Heft 4, S. 660-667
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Fault tolerance of L1 data cache memory induced by intrinsic parameters fluctuation in sub 10nm UTB-SOI MOSFETs
    Ahmed, Rabah Abood
    2013
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
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    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation.
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm.
    Aberg, Ingvar ; Hoyt, Judy L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
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