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108 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Stability analysis for UTB GeOI 6T SRAM cells considering NBTI and PBTI
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2015 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, 2015-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Dual-material gate schottky barrier UTB DG MOSFETs with Ge and III-V channel
    Choi, W. ; Lee, J. ; et al.
    In: 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2014-06-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Modeling the threshold voltage of ultra-thin-body(UTB) long channel symmetric double-gate (DG) MOSFETs
    Medury, Aditya Sankar ; Majumdar, Kausik ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009-05-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Schmidt, M. ; Lemme, M.C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009-03-01, S. 27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    HF Characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 Gate stack
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008-03-01, S. 145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S. K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 277
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Single Metal Gate with Dual Work Functions for FD-SOI and UTB Double Gate Technologies
    Pham, D. ; Luan, H. ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, International SOI Conference, 2006-10-01, S. 25
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Quantum corrected Ensemble Monte Carlo simulation of UTB-DGSOI. Contribution of Volume Inversion and Inter-Subband Modulation effects
    Sampedro, C. ; Gamiz, F. ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, International SOI Conference, 2006-10-01, S. 79
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Mehrotra, Saumitra R ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Simulation of Si and Ge UTB MOSFETs using Monte Carlo method based on the quantum Boltzmann equation
    Du, Gang ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2004 Abstracts 10th International Workshop on Computational Electronics, 2004, S. 186-187
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    An integration path for gate-first UTB III-V-on-insulator MOSFETs with silicon, using direct wafer bonding and donor wafer recycling
    Czornomaz, L. ; Daix, N. ; et al.
    In: 2012 International Electron Devices Meeting, 2012-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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