Performance Assessment of UTB-SOI MOS Transistor with Negative Capacitance Gate-stack

Subir Kumar Maity ; Priyadarshini, Elina

In: 2018 International Conference on Applied Electromagnetics, Signal Processing and Communication (AESPC), 2018-10-01

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Impact of negative capacitance dielectric material on the device performance of UTB-SOI MOS transistor is investigated with the help of extensive numerical simulation. The negative capacitance characteristics of the dielectric material is modeled by charge dependent ferroelectric polarization effect. With the increase in thickness of ferroelectric material, improvement in sub-threshold characteristics is observed. The sub-threshold swing value goes below Boltzmann limit of 60mV/decade, which is the minimum value of sub-threshold swing for conventional FETs. Internal gate voltage amplification found to be proportional with the thickness of ferroelectric region.

Titel:	Performance Assessment of UTB-SOI MOS Transistor with Negative Capacitance Gate-stack
Autor/in / Beteiligte Person:	Subir Kumar Maity ; Priyadarshini, Elina
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/aespc44649.2018.9033231
Zeitschrift:	2018 International Conference on Applied Electromagnetics, Signal Processing and Communication (AESPC), 2018-10-01
Veröffentlichung:	IEEE, 2018
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/aespc44649.2018.9033231
Schlagwort:	Hardware_MEMORYSTRUCTURES Materials science Computer simulation business.industry Transistor Silicon on insulator Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Dielectric Swing Polarization (waves) Ferroelectricity law.invention Hardware_GENERAL law Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Optoelectronics business Hardware_LOGICDESIGN Negative impedance converter
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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