An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure

Muhammad Mainul Islam ; Md. Shamim Sarker ; et al.

In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), S. 335-339

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We propose a physics-based analytical model for gate capacitance-voltage characteristics of ultra-thin-body III–V-on-insulator (XOI) MIS structure. The accuracy of the analytical model is verified by comparing with TCAD results. The model is general and is applicable to different III–V channel materials.

Titel:	An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
Autor/in / Beteiligte Person:	Muhammad Mainul Islam ; Md. Shamim Sarker ; Md. Rafiqul Islam ; Md. Nur Kutubul Alam ; Haque, Anisul
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/jeds.2017.2725340
Zeitschrift:	IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), S. 335-339
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017
Medientyp:	unknown
ISSN:	2168-6734 (print)
DOI:	10.1109/jeds.2017.2725340
Schlagwort:	010302 applied physics Engineering business.industry Insulator (electricity) Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY Numerical models 01 natural sciences Electronic, Optical and Magnetic Materials Logic gate 0103 physical sciences Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Optoelectronics Field-effect transistor Statistical physics Electric potential Electrical and Electronic Engineering business Biotechnology
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: OPEN

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