Source/Drain Doping Induced Vth Variation in Nano-scale UTB SOI MOSFET

Du, L. ; Zhang, Shengdong

In: Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2010-09-23

Online unknown

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Titel:	Source/Drain Doping Induced Vth Variation in Nano-scale UTB SOI MOSFET
Autor/in / Beteiligte Person:	Du, L. ; Zhang, Shengdong
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.7567/ssdm.2010.p-3-4
Zeitschrift:	Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2010-09-23
Veröffentlichung:	The Japan Society of Applied Physics, 2010
Medientyp:	unknown
DOI:	10.7567/ssdm.2010.p-3-4
Schlagwort:	Variation (linguistics) Materials science business.industry Doping MOSFET Optoelectronics Silicon on insulator Nanotechnology business Nanoscopic scale
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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