Investigation of Backgating Effect on Superlinear Onset of Output Characteristics for UTB III-V Heterojunction Tunnel FET

Su, P. ; Fan, M.L. ; et al.

In: Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2015-09-29

Online unknown

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Titel:	Investigation of Backgating Effect on Superlinear Onset of Output Characteristics for UTB III-V Heterojunction Tunnel FET
Autor/in / Beteiligte Person:	Su, P. ; Fan, M.L. ; Huang, S.E.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.ps-3-14
Zeitschrift:	Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2015-09-29
Veröffentlichung:	The Japan Society of Applied Physics, 2015
Medientyp:	unknown
DOI:	10.7567/ssdm.2015.ps-3-14
Schlagwort:	Materials science business.industry Optoelectronics Heterojunction business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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