HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs

Ishii, Hiroyuki ; Wen Hsin Chang ; et al.

In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01

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Ultra-thin-body (UTB) germanium-on-insulator (GeOI) substrates have been fabricated utilizing advanced HEtero- Layer-Lift-Off (HELLO) technology. HELLO technology is effective in mitigating thickness fluctuation issue in UTB GeOI during Ge thinning process. As a result, well-known hole mobility degradation while scaling body thickness (t body ) in UTB GeOI pMOSFETs has been suppressed. The mechanism of enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs was also investigated through low temperature electrical measurement. The hole mobility in 9-nm-thick GeOI devices fabricated with HELLO technology showed larger temperature dependence, indicating the release of thickness fluctuation scattering.

Titel:	HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Ishii, Hiroyuki ; Wen Hsin Chang ; Uchida, Noriyuki ; Irisawa, Toshifumi ; Hattori, Hiroyuki ; Maeda, Tatsuro
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2018.8403822
Zeitschrift:	2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01
Veröffentlichung:	IEEE, 2018
Medientyp:	unknown
DOI:	10.1109/vlsi-tsa.2018.8403822
Schlagwort:	Electron mobility Materials science Silicon business.industry chemistry.chemical_element 02 engineering and technology 010402 general chemistry 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences 0104 chemical sciences Silicon-germanium Lift (force) chemistry.chemical_compound chemistry MOSFET Optoelectronics 0210 nano-technology business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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