Reliability Analysis for Monolithic 3D UTB GeOI and SOI 6T SRAM Cells considering Interlayer Coupling

Hu, V.P.-H.

In: Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2016-09-28

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Titel:	Reliability Analysis for Monolithic 3D UTB GeOI and SOI 6T SRAM Cells considering Interlayer Coupling
Autor/in / Beteiligte Person:	Hu, V.P.-H.
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) https://doi.org/10.7567/ssdm.2016.a-4-02
Zeitschrift:	Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2016-09-28
Veröffentlichung:	The Japan Society of Applied Physics, 2016
Medientyp:	unknown
DOI:	10.7567/ssdm.2016.a-4-02
Schlagwort:	Coupling Materials science Reliability (semiconductor) business.industry Optoelectronics Silicon on insulator Static random-access memory business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE

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