Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs

Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.

In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547

Online unknown

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Front-gate and back-gate potential distributions and threshold voltage of recessed source/drain (ReS/D) ultrathin body (UTB) silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs are modeled. The analytical expressions of the front-gate and the back-gate potential distributions are derived by assuming a parabolic potential variation perpendicular to channel and by solving 2D Poisson’s equation. Based on strong inversion criterion applied to the surface potential minimum value, threshold voltage model of the short channel ReS/D UTB SOI MOSFETs is derived. The model is verified by comparison with 2D numerical device simulator over a wide range of different material and geometrical parameters and very good agreement is obtained.

Titel:	Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; Suligoj, Tomislav
Link:	View record in OpenAIRE (Volltext) View record from ScienceDirect (Volltext) https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.03.002
Zeitschrift:	Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2009
Medientyp:	unknown
ISSN:	0038-1101 (print)
DOI:	10.1016/j.sse.2009.03.002
Schlagwort:	Physics business.industry Electrical engineering Silicon on insulator Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect Condensed Matter Physics Poisson distribution Electronic, Optical and Magnetic Materials Threshold voltage Computational physics Computer Science::Hardware Architecture symbols.namesake Power electronics MOSFET Materials Chemistry symbols Perpendicular Silicon-on-insulator Recessed Source/Drain SOI two-dimensional (2-D) Poisson's equation potential distribution short-channel effects threshold voltage Voltage source Electrical and Electronic Engineering Poisson's equation business
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OpenAIRE Rights: CLOSED

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