UTB结构量子化效应解析模型 ; Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device

王雅科 ; 刘晓彦 ; et al.

In: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjdxxb200403013.aspx, 2004

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通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系. ; 国家自然科学基金; 国家高技术研究发展计划(863计划) ; 中文核心期刊要目总览(PKU) ; 中国科学引文数据库(CSCD) ; 0 ; 3 ; 412-416 ; 40

Titel:	UTB结构量子化效应解析模型 ; Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device
Autor/in / Beteiligte Person:	王雅科 ; 刘晓彦 ; 韩汝琦 ; 北京大学微电子学研究所,北京,100871
Link:	View record in BASE (Volltext) http://hdl.handle.net/20.500.11897/24204 https://doi.org/10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.013 Volltext
Zeitschrift:	万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjdxxb200403013.aspx, 2004
Veröffentlichung:	北京大学学报自然科学版, 2004
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0479-8023 (print)
DOI:	10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.013
Schlagwort:	UTB结构量子化效应反型层电荷
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 Document Type: journal/newspaper Language: Chinese Relation: 北京大学学报(自然科学版).2004,40,(3),412-416.; 1232071; http://hdl.handle.net/20.500.11897/24204

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