UTB结构量子化效应解析模型 ; Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device
In: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjdxxb200403013.aspx, 2004
Online
academicJournal
Zugriff:
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系. ; 国家自然科学基金; 国家高技术研究发展计划(863计划) ; 中文核心期刊要目总览(PKU) ; 中国科学引文数据库(CSCD) ; 0 ; 3 ; 412-416 ; 40
Titel: |
UTB结构量子化效应解析模型 ; Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | 王雅科 ; 刘晓彦 ; 韩汝琦 ; 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
Link: | |
Zeitschrift: | 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjdxxb200403013.aspx, 2004 |
Veröffentlichung: | 北京大学学报 自然科学版, 2004 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0479-8023 (print) |
DOI: | 10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.013 |
Schlagwort: |
|
Sonstiges: |
|