A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
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A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
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Autor/in / Beteiligte Person: | Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; Ricoma, M. ; Martinez, F. ; Pascal, F. ; Miranda, E. ; Faynot, O. ; Iñiguez, B. ; Universitat Rovira i Virgili ; Institut d’Electronique et des Systèmes (IES) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique (M@CSEE) ; Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) |
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Zeitschrift: | ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011 |
Veröffentlichung: | HAL CCSD ; Elsevier, 2011 |
Medientyp: | academicJournal |
DOI: | 10.1016/j.sse.2010.11.034 |
Schlagwort: |
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Sonstiges: |
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