抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究

陈思 ; 竺明达 ; et al.

In: 万方, 2009

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已有的研究结果表明，抬高源漏和凹陷源漏结构对于减小UTB SOI器件串联电阻有较好效果，但对这两种结构中开态下载流子输运影响的研究很少。本文采用全能带蒙特卡罗器件模拟方法对抬高源漏和凹陷源漏结构的UTB SOI开态情况下载流子输运及器件特性进行了模拟，结果显示在高场下抬高源漏比凹陷源漏器件漏端的载流子能量低，因此有利于抑制热载流子进入氧化层引起的可靠性问题。 ; 0

Titel:	抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究
Autor/in / Beteiligte Person:	陈思 ; 竺明达 ; 杜刚 ; 北京大学深圳研究生院,深圳 51805北京大学微电子学研究院,北京 100871 ; 北京大学微电子学研究院,北京 100871
Link:	View record in BASE (Volltext) http://hdl.handle.net/20.500.11897/272774 Volltext
Zeitschrift:	万方, 2009
Veröffentlichung:	2009
Medientyp:	Konferenz
DOI:	20.500.11897/272774
Schlagwort:	抬高源漏凹陷源漏输运特性串联电阻蒙特卡罗绝缘体上硅
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 Document Type: conference object Language: Chinese Relation: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集中国电子学会.; 1167228; http://hdl.handle.net/20.500.11897/272774

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